半导体材料稀土掺杂的理论及应用

被引：3

作者：

屠海令

机构：

[1] 北京有色金属研究总院

来源：

关键词：

硅，砷化镓，磷化铟，稀土掺杂方法，光电器件;

D O I：

10.13373/j.cnki.cjrm.1996.01.016

中图分类号：

TN305.3 [掺杂];

学科分类号：

摘要：

近年来，稀土掺杂导体材料已成为引人注目的研究课题。本文阐述了硅和主要Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中掺杂的原理、掺杂方法；材料的制备及其电学、光学性质，并简要介绍了目前稀土掺杂半导体材料在光电器件方面的应用结果。

引用

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