氮掺杂Ge2Sb2Te5相变存储器的多态存储功能

被引：5

作者：

赖云锋 ^{[1
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冯洁 ^{[1
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乔保卫 ^{[1
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凌云 ^{[2
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林殷茵 ^{[2
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汤庭鳌 ^{[2
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蔡炳初 ^{[1
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陈邦明 ^{[3
]}

机构：

[1] 上海交通大学微米纳米加工技术国家重点实验室

[2] 复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室

[3] Silicon Storage Technology,Inc,Sunnyvale ,USA

来源：

物理学报 | 2006年 / 08期

关键词：

相变存储器; 多态存储; N掺杂; Ge2Sb2Te5;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP333 [存贮器];

学科分类号：

081201 ;

摘要：

通过反应溅射的方法,制备了N掺杂的Ge2Sb2Te5(NGST)薄膜,用作相变存储器的存储介质.研究表明,掺杂的N以GeN的形式存在,不仅束缚了Ge2Sb2Te5(GST)晶粒的长大也提高了GST的晶化温度和相变温度.利用NGST薄膜的非晶态、晶态面心立方相和晶态六方相的电阻率差异,能够在同一存储单元中存储三个状态,实现相变存储器的多态存储功能.

引用

页码：4347 / 4352

页数：6