突变截面驻波管和极高纯净驻波场的实验研究

被引：10

作者：

闵琦 ^{[1
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]}

彭锋 ^{[1
]}

尹铫 ^{[1
]}

刘克 ^{[1
]}

机构：

[1] 中国科学院噪声与振动重点实验室(声学研究所)

[2] 红河学院

来源：

声学学报 | 2010年 / 35卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.15949/j.cnki.0371-0025.2010.02.005

中图分类号：

O422.2 [声场];

学科分类号：

070206 [声学];

摘要：

突变截面驻波管属于失谐驻波管,即其高阶共振频率不是一阶共振频率的整数倍。通过对STAS的优化设计,利用STAS的失谐性质在一阶和二阶共振频率下激励分别获得了180 dB和177 dB的极高纯净驻波声场。尽管声压级已经很高,但在接下来的对一阶和二阶共振频率激励下的声波波形畸变和谐波饱和情况进行的实验研究中仍然没有观察到谐波饱和现象。与此同时,对三阶共振频率激励下的声场进行了实验研究,由于三阶共振频率激励下的大振幅非线性声场的二次谐波频率接近六阶共振频率,在声压级达到170 dB时观测到了三阶共振频率激励下的声波波形畸变和谐波饱和现象。

引用

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