集成电路金属互连焦耳热效应的测试与修正

被引:4
作者
詹郁生
郑学仁
机构
[1] 华南理工大学应用物理系
[2] 华南理工大学应用物理系 广东广州
[3] 广东广州
关键词
焦耳热效应; 集成电路; 金属互连; 电迁移;
D O I
暂无
中图分类号
TN405 [制造工艺];
学科分类号
080903 ; 1401 ;
摘要
采用拟合的方法 ,并利用DESTIN测试系统 ,研究了集成电路金属布线电阻与温度的关系 ;探讨了不同材料、不同尺寸和不同结构金属布线的焦耳热效应 ;揭示了在加速试验 (一定的高电流、高温 )条件下金属化自升温较大 ,必须考虑焦耳热效应作用的原理 ;解决了已往用环境温度代替测试结构表面实际温度所带来的误差 ,从而更准确地得到了可靠性分析的结果
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共 3 条
[1]  
Electromigration in aluminum to tantalum silicide contacts. Steenwyk S D,Kankowski E F. IEEE Electron Devices Society and IEEE Reliability Society . 1986
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Temperature-controlled wafer-level Joule-heated constant current EM tests of W/Al-Cu-Si/W wires. Anata Y. IEEE ICMTS . 1994
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