1.3μm偏振无关半导体光放大器单片集成模斑变换器

被引：3

作者：

马宏

易新建

陈四海

机构：

[1] 华中科技大学光电子工程系,华中科技大学光电子工程系,华中科技大学光电子工程系武汉,武汉,武汉

来源：

光学学报 | 2004年 / 06期

关键词：

导波与光纤光学; 半导体激光器; 偏振无关; 半导体光放大器; 模斑变换器; 耦合损耗;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN722 [放大器];

学科分类号：

080902 ;

摘要：

用金属有机化学气相外延生长并制作了 1.3μm脊型波导偏振无关半导体光放大器集成模斑变换器 ,器件有源区为同时采用压应变量子阱和张应变量子阱的混合应变量子阱结构以获得TE和TM偏振模式的增益平衡 ,模斑变换器采用一种新型脊型侧向锥形波导结构 ;集成模斑变换器的半导体光放大器远场发散角为 12°× 15° ,接近圆形光斑 ,与平头标准单模光纤耦合损耗为 - 2 .6dB ,在水平和垂直方向上的 - 1dB耦合对准容差分别为± 2 .3μm和± 1.6 μm ;在 2 0 0mA偏置电流下 ,半导体光放大器小信号增益近 2 4dB ,在 12 80～ 1340nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 .6dB。

引用

页码：756 / 758

页数：3

共 5 条

[1]

55μmInP InGaAsPfabry perotlaserswithintegratedspotsizeconvertersusingantiresonantreflectingopticalwaeguides. GalarzaM,MeselK,VerstuyftSetal. IEEEPhoton.Technol.Lett . 2002

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