一步法制备的ZnO-硼硅酸铅锌玻璃压敏电阻电性能研究

被引:3
作者
吴隽
谢长生
柏自奎
张杰
宋武林
王爱华
机构
[1] 华中科技大学材料学院
[2] 模具技术国家重点实验室
[3] 模具技术国家重点实验室 武汉
[4] 武汉
关键词
四足状; ZnO; 纳米; 压敏电阻;
D O I
暂无
中图分类号
TN379 [敏感器件];
学科分类号
0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;
摘要
以四足状纳米ZnO粉末为原料 ,以制备硼酸铅锌玻璃的氧化物替代硼酸铅锌玻璃直接进行共烧结 ,制备出了ZnO 硼硅酸铅锌玻璃压敏电阻 ,并对其电性能进行了研究。研究结果表明 :最佳添加量为 13 0wt%~ 17 4wt%。当添加量在 13 0wt%~ 17 4wt%时 ,在 90 0~ 1170℃温度范围 ,烧结温度对压敏电阻的漏电流IL 和非线性系数α的影响很小。含 13 0wt%添加剂的样品 ,其最大非线性系数α和最小漏电流IL 分别为 38 7和 1 7μA。烧结温度的降低主要源自于纳米ZnO粉末和添加了硼酸铅锌玻璃“形成”氧化物。
引用
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