共 2 条
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半导体光谱和光学性质[M] 沈学础著; 科学出版社 2002,
[2]
Ground State of the Electron Gas by a Stochastic Method Ceperley D M; Alder B L; Phys Rev Lett 1980,
铁硅化合物β-FeSi带间光学跃迁的理论研究
被引：21
作者：
闫万珺
谢泉
张晋敏
肖清泉
梁艳
曾武贤
机构：
[1] 贵州大学电子科学与信息技术学院
来源：
关键词：
β-FeSi2;
电子结构;
光学特性;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN301 [基础理论];
学科分类号：
080903 [微电子学与固体电子学];
摘要：
采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了β-FeSi2基态的几何结构、能带结构和光学性质.能带结构计算表明β-FeSi2属于一种准直接带隙半导体,禁带宽度为0.74eV;其能态密度主要由Fe的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的β-FeSi2材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质计算结果,复介电函数的计算结果表明β-FeSi2具有各向异性的性质;吸收系数最大峰值为2.67×105cm-1.
引用
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页码：1381 / 1387
页数：7
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