大功率超高速半导体开关的换流特性研究

被引:7
作者
余岳辉 [1 ]
梁琳 [1 ]
颜家圣 [2 ]
彭亚斌 [1 ]
机构
[1] 华中科技大学电子科学与技术系
[2] 不详
基金
高等学校博士学科点专项科研基金;
关键词
大功率开关; 反向开关晶体管; 开通特性; 脉冲; di/dt;
D O I
10.13334/j.0258-8013.pcsee.2007.30.020
中图分类号
TN36 [半导体光电器件];
学科分类号
0803 ;
摘要
研究了一种应用于激光驱动源的大功率超高速半导体开关反向开关晶体管(RSD)的新结构,以实现μs、ns脉宽、MW以上的高重复率脉冲的产生和控制。RSD具有大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点。利用单次脉冲试验平台研究了RSD的开通机理及高密度能量转换、允许通过的峰值电流、开通条件与预充、准静态损耗及其di/dt等多项特性。根据经验公式,对小直径RSD做极限电流试验,φ20mm的RSD堆体通过了19.9kA脉冲电流(脉宽30μs)。通过减小主回路电感考核了RSD的高di/dt耐量特性,放电电压3kV时得到di/dt接近8kA/μs。
引用
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