等离子增强型化学气相沉积条件对氮化硅薄膜性能的影响

被引：16

作者：

李新贝

张方辉

牟强

机构：

[1] 陕西科技大学电气与电子工程学院

来源：

关键词：

等离子增强型化学气相沉积; 氮化硅; 薄膜性能;

D O I：

10.16577/j.cnki.42-1215/tb.2006.07.004

中图分类号：

TG174.445 [表面合金化（渗镀）];

学科分类号：

080503 ;

摘要：

等离子增强型化学气相沉积(PECVD)氮化硅技术是目前半导体器件在合金化后低温生长氮化硅的唯一方法。研究了由进口PECVD设备制备的氮化硅薄膜性质与沉积条件的关系,测定了生成膜的各种物理化学性能,详细探讨了各种沉积参数对薄膜性能的影响,提出了沉积优质氮化硅薄膜的工艺条件。

引用

页码：12 / 16+3 +3

页数：6

共 4 条

[1] 低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨 [J].

王玉林 ;

郑雪帆 ;

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[2] 等离子增强型化学气相淀积氮化硅的淀积 [J].

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