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用MOCVD方法制备TIO2薄膜:工艺及进展
被引：9
作者：
孙一军
张志峰
张良莹
姚熹
机构：
[1] 西安交通大学精细功能电子材料与器件国家专业实验室
来源：
关键词：
MOCVD,TIO2,薄膜;
D O I：
10.16552/j.cnki.issn1001-1625.1997.02.009
中图分类号：
TQ174.758. [];
学科分类号：
080503 ;
摘要：
本文概述了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）的方法制备ＴＩＯ２薄膜的原理工艺过程用工艺特点，并指出了最新研研进展和存在的问题以今后及发展方向。
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