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阿霉素在多壁碳纳米管膜电极上的电化学行为及其分析研究
被引:5
作者
:
孙延一
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
武汉大学化学与分子科学学院
孙延一
吴康兵
论文数:
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机构:
武汉大学化学与分子科学学院
吴康兵
胡胜水
论文数:
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引用数:
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机构:
武汉大学化学与分子科学学院
胡胜水
机构
:
[1]
武汉大学化学与分子科学学院
[2]
武汉大学化学与分子科学学院 武汉襄樊职业技术学院湖北襄樊
[3]
武汉
来源
:
分析科学学报
|
2004年
/ 01期
关键词
:
碳纳米管;
阿霉素;
化学修饰电极;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
O657.1 [电化学分析法];
学科分类号
:
070302 ;
081704 ;
摘要
:
报道了一种多壁碳纳米管(MWNT)膜电极的制备方法。研究了阿霉素(ADM)在多壁碳纳米管膜电极上的电化学行为。优化了测定阿霉素的各实验参数,实验证实,ADM浓度在2.0×10-8~1.0×10-5mol/L之间其还原峰电流与浓度有良好的线性关系。富集4min后检测,本法的检出限为5.0×10-9mol/L。用此膜电极测定了病人服用阿霉素后尿样中阿霉素的浓度,取得了满意的结果。
引用
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页码:26 / 28
页数:3
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