半导体激光照射预防和缓解牙髓炎急性反应

目的观察半导体激光照射预防及缓解根管治疗急性反应(endodontic interappointment EIAE)的效果。方法选取需进行根管治疗的患有牙髓炎及根尖周炎的牙病患者304例,随机分为2组,在进行根管预备及樟脑酚棉捻开放后,其中1组(155例)应用半导体激光在牙体外辐射根尖区,另1组不作处置,24h后观察记录患者主观症状和体征,比较2组根管治疗急性反应发生率。另选取根管充填后发生急性反应的牙病患者175例,随机分为2组,1组(96例)应用半导体激光在牙体外辐射根尖区;另1组(79例)给予口服甲硝唑及先锋Ⅳ,24h后观察记录患者主观症状和体征,比较2组缓解根管治疗急性反应效果。结果304例牙病患者中,应用半导体激光照射组的急性反应发生率为4.52%,未照射组为10.74%,2组差异有统计学意义(P<0.05);175例根管填充后发生急性反应的患者中,半导体激光照射组的EIAE缓解效果明显好于药物治疗组,2组差异有统计学意义(P<0.05)。结论半导体激光照射可有效预防和缓解根管治疗急性反应。