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基于压电双晶片的测量薄膜应变的膨胀仪
被引:5
作者
:
唐一文
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机构:
武汉大学物理学系!武汉
唐一文
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机构:
乐望民
汪大海
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武汉大学物理学系!武汉
汪大海
国世上
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武汉大学物理学系!武汉
国世上
赵兴中
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机构:
武汉大学物理学系!武汉
赵兴中
机构
:
[1]
武汉大学物理学系!武汉
来源
:
武汉大学学报(自然科学版)
|
2000年
/ 01期
关键词
:
压电双晶片;
共聚物薄膜;
电场致应变;
膨胀仪;
D O I
:
10.14188/j.1671-8836.2000.01.023
中图分类号
:
TH823.3 [];
学科分类号
:
0804 ;
080401 ;
081102 ;
摘要
:
研制了一种基于压电双晶片的高灵敏度膨胀仪,它能够在较宽的频率范围内(l~103 Hz),可靠、方便地测量自由状态下又薄又软的共聚物薄膜厚度方向的电场致应变.测试结果证明这种新型的膨胀仪在频率为100Hz时能探测低至0.1nm的位移,最后测量了一种共聚物薄膜的电场致应变.
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页码:87 / 90
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