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一种高频群脉冲电解加工电源的研究和开发
被引:20
作者
:
唐兴伦
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机构:
北京理工大学
唐兴伦
张之敬
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h-index:
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北京理工大学
张之敬
王建平
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0
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h-index:
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机构:
北京理工大学
王建平
张利波
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h-index:
0
机构:
北京理工大学
张利波
机构
:
[1]
北京理工大学
[2]
北京理工大学 北京
[3]
北京
来源
:
电力电子技术
|
2003年
/ 05期
关键词
:
电源/群脉冲;
绝缘栅双极晶体管;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN86 [电源];
学科分类号
:
0810 ;
081001 ;
摘要
:
介绍了一种高频群脉冲电源的设计原理和提高电源可靠性的方法,并详细讨论了IGBT的过压和过流保护技术。功率开关器件IGBT的门极控制信号通过光纤传输,极大地避免了环境噪声的影响,提高了IGBT的关断控制精度,从而获得了良好的信号输出。调试表明,该电源结构合理、稳定可靠。
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