单晶硅压力传感器温度漂移的补偿方法

被引：16

作者：

王世清

姜彤

侯占民

机构：

[1] 中国电子科技集团公司第四十九研究所

来源：

关键词：

传感器; 热零点漂移; 热灵敏度漂移; 补偿;

D O I：

10.13873/j.1000-97872006.07.011

中图分类号：

TP212 [发送器（变换器）、传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

介绍了单晶硅压力传感器温度漂移的机理,阐述了采取串并联电阻网络和有源电路分段等综合补偿方法的补偿原理。实验结果表明:在-45～85℃温区内,补偿后,热零点漂移和热灵敏度漂移从±0.5%FS/℃提高到±0.014%FS/℃。

引用

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