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- [1] 中国电子工业年鉴.[M].[王人杰主编];《中国电子工业年鉴》编辑委员会编;.电子工业出版社.2002,
- [2] 电子信息材料咨询报告.[M].电子信息材料咨询研究组编著;.电子工业出版社.2000,
- [3] 电子信息材料.[M].万群;钟俊辉主编;.冶金工业出版社.1990,
半导体材料的发展现状
被引：19
作者：
凌玲
机构：
[1] 北京新材料发展中心北京,
来源：
关键词：
半导体材料;
多晶硅;
单晶硅;
砷化镓;
氮化镓;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304 [材料];
学科分类号：
摘要：
在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料;而将宽禁带(Eg>2.3eV)的氮化镓、碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料。本文介绍了三代半导体的性质比较、应用领域、国内外产业化现状和进展情况等。
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