低阻高透过率ITO薄膜的制备与性能

被引：30

作者：

王刚

刘宏宇

赵超

杨柏梁

黄锡珉

机构：

[1] 中国科学院长春物理研究所

[2] 北方液晶工程研究开发中心

[3] 吉林大学电子工程系

来源：

液晶与显示 | 1999年 / 01期

关键词：

直流磁控溅射,衬底温度,溅射功率,方块电阻,透过率,真空退火;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.055 [];

学科分类号：

摘要：

研究了直流磁控溅射法制备的ＩＴＯ薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ＩＴＯ薄膜光电特性的影响。在低衬底温度、低溅射功率下获得了优质的ＩＴＯ薄膜，可见光透过率高于８５％，在厚度为１００ｎｍ时其方块电阻在１５０～２００Ω／□之间，并且ＩＴＯ薄膜的制备工艺完全与ＡＭＬＣＤ中ＴＦＴ器件的制作工艺兼容。

引用

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