本文研究了β-环糊精(β-CD)及阳离子表面活性剂-β-CD 对 Al(Ⅲ)、Ga(Ⅲ)、In(Ⅲ)的铬天青 S 和埃铬菁 R 体系的作用及有关机理。结果表明,β-CD 对这些体系均无增敏作用、加入 CTMAB 或 CPB 后,产生不同程度的增敏作用,并有如下顺序:In(Ⅲ)-CAS(ECR)>Ga(Ⅲ)-CAS(ECR)>Al(Ⅲ)-CAS(ECR).其原因在于,阳离子表面活性剂的憎水基进入β-CD内腔,而另一端与显色螯合离子缔合,形成包合-缔合“桥式”结构,其极性比单独β-CD 增大,从而产生协同增敏作用。金属离子 In(Ⅲ)的离子半径最大,外层电子为18电子型,与显色剂形成的螫合离子极性也最大,与带异电的阳离子表面活性剂-β-CD 相互极化作用最强,故增敏作用最强。而 Al(Ⅲ)的离子半径最小,电子构型属惰气型,与阳离子表面活性剂-β-CD缔合作用最弱,故增敏作用也最低。