一种新型掺半导体纳米微粒光纤

将纳米技术应用于光纤技术,通过改进的化学气相沉积法（MCVD）,制成了一种新型的掺半导体纳米InP微粒的新结构光纤。经测试,该光纤中掺杂InP质量分数约为0.1%,且具有良好的波导通光性能。根据扫描电镜（SEM）下观察到的光纤截面微结构形貌,通过有限元法（FEM）进行数值分析,得到该光纤的有效截面面积约为10.01μm2,从而进一步得到该光纤的非线性系数约为10.53 W-1·km-1。证实了此种光纤较普通光纤具有较高的非线性。