IGBT的发展情况及特点分析

被引：8

作者：

张国俊

王刚

机构：

[1] 东北微电子研究所

[2] 东北微电子研究所沈阳

[3] 沈阳

来源：

微处理机 | 2003年 / 03期

关键词：

功率半导体器件; IGBT; 工艺技术;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

本文介绍了国外 IGBT的发展情况及最新动态 ;分析了各种新结构技术 IGBT的特点 ;最后预测了该器件的发展趋势

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