共 1 条
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Sagnes l,Halimaoui A,Vincent G, Badoz P A. Applied Physics Letters . 1993
高多孔度多孔硅自支撑膜的制备及表征
被引：2
作者：
徐东升
郭国霖
桂琳琳
张伯蕊
秦国刚
机构：
[1] 北大学物理化学研究所!北京，,北大学物理化学研究所!北京，,北大学物理化学研究所!北京，,北大学物理化学研究所!北京，,北大学物理化学研究所!北京，
来源：
关键词：
多孔硅;
自支撑膜;
高多孔度;
光致发光;
D O I：
暂无
中图分类号：
O612 [周期系统各族元素];
学科分类号：
摘要：
We have obtained free-standing porous silicon filrns with porosity above 90% by us-ing allodic oxidizing, electropolishing, chemical etching and supercritical drying methods. Thesehighly porous films exhibited near 100% transmission in the near infrared and strong photoluminescence (PL). The porosity of these films increased with prolonging the time of chen1ical etching.Meanwllile, the blueshift of the optical transmission curves and the increasing of the PL intensitywas ohserved. However, there is no clear size dependence of the peak ellergy of the PL.
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