染污方法对瓷绝缘子直流污闪特性的影响

被引:8
作者
宋磊 [1 ]
张福增 [2 ]
梁曦东 [1 ]
李锐海 [2 ]
王国利 [2 ]
机构
[1] 清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室
[2] 南方电网科学研究院有限责任公司
关键词
瓷绝缘子; 染污方法; 人工污闪试验; 闪络特性; 直流污闪特性; 盐密(ESDD); 灰密(NSDD);
D O I
暂无
中图分类号
TM216 [绝缘子和套管];
学科分类号
摘要
在人工污秽试验中,IEC标准推荐了几种染污方法,但未给出不同方法试验结果差异的相关说明。为此,采用大吨位瓷绝缘子XZP-300为试品,研究了定量涂刷法、浸污法2种染污方法获得的瓷绝缘子试品在不同盐密条件下的直流污闪特性,比较了2种染污方法试验结果的概率分布特性,同时分析了2种试验方法试验结果的差异,并基于污闪平板模型从原理上解释了差异的原因。结果表明,定量涂刷法和浸污法的试验结果均近似呈正态分布,可以采用2种方法均值计算50%耐受电压;定量涂刷法获得的污闪电压高出浸污法的污闪电压约2%~6%;通过基于平板模型的公式推导可证明,均匀染污表面的污闪电压低于不均匀染污表面的,由于浸污法染污绝缘子表面盐密分布比定量涂刷法的更均匀,因此浸污法的污闪电压低于定量涂刷法的。
引用
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页码:2542 / 2548
页数:7
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