8-羟基喹啉铍及其衍生物电子光谱性质的含时密度泛函理论研究

被引:18
作者
廖奕
苏忠民
陈亚光
阚玉和
段红霞
仇永清
王荣顺
机构
[1] 东北师范大学化学学院
[2] 东北师范大学化学学院 功能材料化学研究所
[3] 长春
[4] 功能材料化学研究所
关键词
8-羟基喹啉铍; 电子光谱; 含时密度泛函理论(TD-DFT);
D O I
暂无
中图分类号
O641.4 [络合物化学(配位化学)];
学科分类号
070304 ; 081704 ;
摘要
运用密度泛函理论 (DFT) B3 LYP方法和 ab initio HF单激发组态相互作用 (CIS)法分别优化了有机金属配合物 8-羟基喹啉铍 (Be Q2 )及其 3种衍生物分子的基态及最低激发单重态几何结构 .系统分析了分子结构、前线分子轨道特征和能级分布规律以探索电子跃迁机理 .应用含时密度泛函理论 (TD-DFT)计算分子的电子光谱 ,揭示了 Be Q2 及其衍生物的发光源于配体中 π→ π*电子跃迁 ,指出通过配体修饰可以有效地影响配合物前线分子轨道分布 ,调整发光波段 ,并有效提高电荷转移量
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共 1 条
[1]   8-羟基喹啉铝光电性质的Ab initio和DFT研究 [J].
苏忠民 ;
程红 ;
高洪泽 ;
孙世玲 ;
初蓓 ;
王荣顺 ;
王悦 .
高等学校化学学报, 2000, (09) :1416-1421