InP/GaAs异质外延及异变InGaAs光探测器制备

被引：2

作者：

王琦

任晓敏

熊德平

周静

吕吉贺

黄辉

黄永清

蔡世伟

机构：

[1] 光通信与光波技术教育部重点实验室

来源：

光电子激光. | 2007年 / 10期

关键词：

异质外延; 低温InP缓冲层; 应变层超晶格(SLS); 光探测器;

D O I：

10.16136/j.joel.2007.10.001

中图分类号：

TN36 [半导体光电器件];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

借助超薄低温InP缓冲层,在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层,在InP外延层中插入了15周期In0.93Ga0.07P/InP应变层超晶格(SLS),进一步阻断了失配位错穿透到晶体表面,提高了外延层的晶体质量,这样2.5μm厚InP外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)ω扫描半高全宽(FWHM)值降低至219 arcsec,该InP外延层的室温光荧光(PL)谱线宽度仅为42 meV。在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功地制备出了长波长异变In0.53Ga0.47As PIN光电探测器,器件的台面面积为50μm×50μm,In0.53Ga0.47As吸收层厚度为300 nm,在3 V反偏压下器件的3 dB带宽达到了6 GHz,在1550 nm波长处器件的响应度达到了0.12 A/W,对应的外量子效率为9.6%。

引用

收藏

页码：1143 / 1145+1149 +1149

页数：4

相关论文

共 3 条

[1]

Heteroepitaxy of In 0.53 Ga 0.47 As on GaAs substrate by low pressure metalorganic chemical vapor deposition for the OEIC applications[J] . Aiguang Ren,Xiaomin Ren,Qi Wang,Deping Xiong,Hui Huang,Yongqing Huang.Microelectronics Journal . 2006 (8)

[2] A comparative study of metamorphic InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistors with InP and InAIP buffer layers grown by molecular beam epitaxy [J].

Yongkun Sin ;

Nathan Presser ;

Paul Adams .

Journal of Electronic Materials, 2006, 35 :266-272

[3]

InP/In 0.53 Ga 0.47 As/InP double heterojunction bipolar transistors on GaAs substrates using InP metamorphic buffer layer[J] . Y.M Kim,M Dahlstrǒm,S Lee,M.J.W Rodwell,A.C Gossard.Solid State Electronics . 2002 (10)