SiCl/SiH-NH体系的低压化学蒸汽淀积（LPCVD）氮化硅薄膜研究

被引：5

作者：

王季陶

承焕生

吴宪平

吕以金

机构：

[1] 复旦大学

[2] 上海无线电十四厂

来源：

关键词：

氮化硅薄膜; 淀积; SiCl4/SiH4-NH3; LPCVD; NH; 低压; 电压;

D O I：

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中图分类号：

学科分类号：

摘要：

<正> 氮化硅薄膜在大规模集成电路制造过程中占有一定的地位.目前国内一般是采用硅烧和氨做原料,用高频加热的方法来淀积氮化硅薄膜.这种高频常压法工艺产量低,耗电多,薄膜均匀性也比较差.从1977年以来,国外基本上普遍推广LPCVD新工艺代替了以往的常压工艺.

引用

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