宽反射角DBR红光发光二极管

被引：4

作者：

韩军

李建军

邓军

邢艳辉

于晓东

林委之

刘莹

沈光地

机构：

[1] 北京市光电子技术实验室北京工业大学

[2] 北京市光电子技术实验室北京工业大学北京

来源：

光电子激光 | 2008年 / 04期

关键词：

红光发光二极管; 分布布拉格反射镜; 金属有机物化学气相沉积;

D O I：

10.16136/j.joel.2008.04.013

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

对用于提高AlGaInP红光发光二极管出光效率的传统DBR进行了分析,用MOCVD生长了包含对垂直入射光反射的DBR和对斜入射光反射的DBR复合在一起的红光LED,在20mA注入电流下,LED的峰值波长为630nm,轴向光强达到137mcd,输出光功率为2.32mW。与常规的LED相比,光强和输出光功率有很大的提高。

引用

页码：456 / 458

页数：3

共 5 条

[1]

4×efficiencyimprovement intransparent-substrate(AlxGa1-x)0.5In0.5Plight-emitting diodes with thin(<2000)active regions. Gardner N F,Chui H C,Chen EI,et al. Applied Physics . 1999

[2]

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[3]

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[4]

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[5]

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