分子束外延ZnSe/GaAs材料的拉曼散射研究

被引：4

作者：

史向华

王兴军

俞根才

侯晓远

机构：

[1] 长沙电力学院物理系,复旦大学应用表面物理国家重点实验室,复旦大学应用表面物理国家重点实验室,复旦大学应用表面物理国家重点实验室长沙,复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,上海,上海,上海

来源：

光学学报 | 2003年 / 05期

关键词：

光学材料; ZnSe; 拉曼光谱; 相干长度;

D O I：

暂无

中图分类号：

O437.3 [受激拉曼散射];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

用分子束外延 (MBE)技术 ,在GaAa( 10 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 45 μm到 1.4μm的ZnSe薄膜。通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子 (Longitudinal opticalphonon)的谱形进行了分析。用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级拉曼散射的空间相关长度与晶体质量之间的关系 ,结果表明ZnSe外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄是渐渐退化的 ,这是由于界面失配位错引入外延层所致 ,理论分析与实验结果相吻合。

引用

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