用于传导EMI仿真的二极管高频模型的研究

被引：10

作者：

袁义生

谌平平

穆斯塔法

钱照明

机构：

[1] 浙江大学

[2] 浙江大学杭州

[3] 杭州

来源：

电力电子技术 | 2001年 / 06期

关键词：

二极管; 模型; 仿真/PIN二极管;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312 [二极管：按结构和性能分];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

阐述了一种能够仿真PIN二极管传导EMI的高频模型。该模型全面考虑了二极管的正向恢复、端区复合以及空间电荷区边界移动效应 ,并且利用Saber的MAST语言得以实现。仿真和实验结果的比较也证明了该模型的正确性和准确性。

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共 2 条

[1]

A Simple Diode Model with Reverse Recovery. Lauritizen P. O. IEEE Transactions on Power Electronics . 1991

[2]

A Simple Power Diode Model with Forward and Reverse Recovery. Lauritizen P. O. IEEE Transactions on Power Electronics . 1993