MSM光电探测器特性二维数值模拟

被引：2

作者：

王庆康

史常忻

Wolfram Bettermann

机构：

[1] 上海交通大学微电子技术研究所

[2] 德国亚琛工业大学半导体电子学研究所

来源：

固体电子学研究与进展 | 1992年 / 04期

基金：

中国国家自然科学基金;

关键词：

光电探测器; 模拟;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

为了解释在InGaAs金属-半导体-金属光电探测器(MSM—PD)内光产生载流子的行为及器件内电场分布,本文用有限元法数值求解了含复合项的二维泊松方程、电流连续方程及电荷俘获速率方程。得到了InGaAs MSM光电探测器的电流—电压特性及器件内电场和载流子分布。模拟结果解释了实验观察到的雪崩击穿现象,并表明电子电流比空穴电流提前饱和。

引用

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