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W/SiC纳米多层膜界面微结构研究(英文)
被引：1
作者：
李戈扬
张流强
吴亮
施晓蓉
李鹏兴
机构：
[1] 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室
[2] 中国科学院上海冶金研究所
来源：
关键词：
纳米多层膜;
W/SiC;
调制结构;
调制周期;
过渡层;
地层;
界面微结构;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];
学科分类号：
080501 ;
1406 ;
摘要：
本文采用双靶交替磁控溅射方法制备了Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜，并用高分辨电镜对多层膜截面形貌及界面微结构进行了分析。结果表明：Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜具有良好的调制结构，其中Ｗ为多晶，ＳｉＣ为非晶，且Ｗ晶粒在垂直于膜面的方向上的长大受到调制周期的限制。Ｗ与ＳｉＣ形成完全非共格界面，该界面具有宏观平直而微观粗糙的特点。在界面上存在一个模糊的过渡层，该过渡层由Ｗ与ＳｉＣ的成份混合区和Ｗ的结构过渡区构成。
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