一种改进的片内ESD保护电路仿真设计方法

被引：3

作者：

朱志炜

郝跃

马晓华

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

来源：

电子器件 | 2007年 / 04期

关键词：

静电放电; 片内ESD保护电路; 混合模式仿真; 能量驰豫时间; 非本地输运;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN402 [设计];

学科分类号：

摘要：

对现有的片内ESD保护电路仿真设计方法进行了改进,使之适用于深亚微米工艺.文中设计了新的激励电路以简化仿真电路模型;增加了栅氧化层击穿这一失效判据;使用能量平衡方程描述深亚微米MOSFET的非本地输运,并对碰撞离化模型进行了修正;使用蒙特卡罗仿真得到新的电子能量驰豫时间随电子能量变化的经验模型.最后使用文中改进的仿真设计方法对一个ESD保护电路进行了设计和验证,测试结果符合设计要求.

引用

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