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多层片式ZnO压敏电阻器
被引：7
作者：
何晓明
陈大任
李国荣
张望重
刘胜利
机构：
[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所
来源：
关键词：
ZnO压敏电阻器,多层片式结构,流延工艺;
D O I：
暂无
中图分类号：
TM5 [电器];
学科分类号：
080801 ;
摘要：
用流延工艺制备了ＺｎＯ Ｂｉ２Ｏ３系统的多层独石式片状结构的ＺｎＯ压敏电阻器，测量了元件的电学性能，结果表明：用常规ＺｎＯ瓷料，选用合适的厚膜制备工艺和内电极材料能得到性能良好的低压ＺｎＯ压敏电阻器。
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页码：85 / 86+100
页数：3
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