TiO2掺杂对低压ZnO压敏电阻性能的影响

被引：8

作者：

张丛春

周东祥

龚树萍

机构：

[1] 华中科技大学电子科学与技术系!武汉

来源：

关键词：

ZnO; 压敏陶瓷; TiO2; 电性能;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN384 [铁电及压电器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

研究了 Ti O2 掺杂量及制备工艺对 Zn O压敏电阻性能的影响。Ti O2 掺杂超过一定量时 ,压敏场强就不再降低 ,而非线性系数却一直下降 ,漏流迅速增大 ,使性能劣化。因此 ,要控制 Ti O2 掺杂量在适当范围内。粉料煅烧温度和烧成温度的高低也直接影响 Zn O压敏电阻性能。

引用

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