高光束质量新型垂直腔面发射激光器阵列

被引：5

作者：

崔锦江 ^{[1
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宁永强 ^{[1
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张岩 ^{[1
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孔鹏 ^{[2
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刘光裕 ^{[1
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张星 ^{[1
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王贞福 ^{[1
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史晶晶 ^{[1
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李特 ^{[1
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秦莉 ^{[1
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刘云 ^{[1
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王立军 ^{[1
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机构：

[1] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室

[2] 中国科学院研究生院

来源：

中国激光 | 2009年 / 36卷 / 08期

关键词：

激光器; 垂直腔面发射激光器; 阵列; 远场分布;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248.4 [半导体激光器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

报道了一种具有新型排列方式的垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）阵列。通过调制阵列中各单元直径以及单元间距,得到1 kW/cm2的高功率密度和高斯远场分布,且在工作电流0～6 A 内远场发散角均小于20°。阵列由直径分别为200μm,150μm和100μm成中心对称分布的5个单元组成,单元圆心间距分别为250 μm和200 μm。在室温连续工作条件下,阵列在注人电流4 A时达最大输出功率880 mW,斜率效率为0.3 W/A,具有0.56 A的低阈值电流,微分电阻0.09 Ω。与具有相同出光面积的4×4二维阵列相比,这种新型阵列在出光功率、阈值电流、光谱特性及远场分布等方面均具有优越性。模拟了阵列各单元叠加后的近场远场光强分布,结果表明得到的新型阵列的远场分布与实验结果吻合较好。

引用

页码：1941 / 1945

页数：5