超高速半导体开关RSD的开通机理与大电流特性研究

被引:22
作者
余岳辉
梁琳
李谋涛
刘玉华
刘璐
机构
[1] 华中科技大学电子科学与技术系
关键词
大功率; 开关; RSD; 开通特性; 脉冲;
D O I
10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.2005.02.006
中图分类号
TN389 [其他器件];
学科分类号
摘要
基于反向注入控制RSD(ReverselySwitchedDynistor)的大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点,新开通机制的RSD将在脉冲功率技术中获得重要应用。本文研究了RSD的开通机理和开通条件,为器件开通特性的改进和预充电路的合理设计提供了依据;实验还表明,由小直径RSD的极限电流测试结果,可以用经验公式得到同类结构的任意通流面积RSD脉冲大电流耐量。
引用
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页码:36 / 40+62 +62
页数:6
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共 2 条
[1]   半导体脉冲功率开关RSD的开通电压特性研究 [J].
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