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超高速半导体开关RSD的开通机理与大电流特性研究
被引:22
作者
:
余岳辉
论文数:
0
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0
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0
机构:
华中科技大学电子科学与技术系
余岳辉
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机构:
梁琳
李谋涛
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机构:
华中科技大学电子科学与技术系
李谋涛
刘玉华
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机构:
华中科技大学电子科学与技术系
刘玉华
刘璐
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机构:
华中科技大学电子科学与技术系
刘璐
机构
:
[1]
华中科技大学电子科学与技术系
来源
:
电工技术学报
|
2005年
/ 02期
关键词
:
大功率;
开关;
RSD;
开通特性;
脉冲;
D O I
:
10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.2005.02.006
中图分类号
:
TN389 [其他器件];
学科分类号
:
摘要
:
基于反向注入控制RSD(ReverselySwitchedDynistor)的大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点,新开通机制的RSD将在脉冲功率技术中获得重要应用。本文研究了RSD的开通机理和开通条件,为器件开通特性的改进和预充电路的合理设计提供了依据;实验还表明,由小直径RSD的极限电流测试结果,可以用经验公式得到同类结构的任意通流面积RSD脉冲大电流耐量。
引用
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页码:36 / 40+62 +62
页数:6
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[1]
半导体脉冲功率开关RSD的开通电压特性研究
[J].
杜如峰
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机构:
华中科技大学电子科学与技术系
杜如峰
;
余岳辉
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华中科技大学电子科学与技术系
余岳辉
;
彭昭廉
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华中科技大学电子科学与技术系
彭昭廉
;
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胡乾
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微电子学,
2004,
(02)
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[2]
晶体管原理[M]. 国防工业出版社 , 刘永, 2002
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2004,
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