NiCr合金基底上离子源辅助激光制备CeO2薄膜及其结构分析

被引：1

作者：

郝梅

黄新堂

王又青

王秋良

陈清明

徐启阳

机构：

[1] 华中师范大学物理系!武汉,华中师范大学物理系!武汉华中理工大学激光技术国家重点实验室,武汉,华中理工大学激光技术国家重点实验室!武汉,华中理工大学激光技术国家重点实验室!武汉,华中理工大学激光技术国家重点实验室!武汉,华中理工大学

来源：

华中师范大学学报(自然科学版) | 2000年 / 02期

关键词：

脉冲激光; CeO2薄膜; NiCr合金基底; 离子源辅助;

D O I：

10.19603/j.cnki.1000-1190.2000.02.010

中图分类号：

O484.4 [薄膜的性质];

学科分类号：

摘要：

室温下在 Ni Cr合金 ( Hastelloy c-2 75)基底上应用 Ar+ 离子源辅助 ,准分子脉冲激光沉积了Ce O2 薄膜 .结果表明 :在合适的外部条件控制下 ,直接在 Ni Cr合金基底上可以制备出 c-轴取向的 Ce O2薄膜 ,但这时的 Ce O2 薄膜在其 a-b平面内没有观察到织构的信息 ;进一步在相同的条件下 ,首先在 Ni Cr合金基底上制备一层 YSZ( Yttria-Stabilized Zirconia) ,再在 YSZ/Ni Cr上制备 Ce O2 薄膜 ,这时的 Ce O2薄膜不但是 c-轴取向 ,同时在其 a-b平面内织构 .

引用

页码：157 / 160

页数：4

共 3 条

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