改进型脉宽调制DC/DC变换芯片的实现

被引:5
作者
胡黎强
林争辉
李晓庆
机构
[1] 上海交通大学大规模集成电路研究所
[2] 上海宝钢集团 上海
[3] 上海
关键词
脉宽调制; CMOS; 电源管理芯片; 功率MOSFET;
D O I
10.13290/j.cnki.bdtjs.2002.03.013
中图分类号
TN431.2 [数字集成电路、逻辑集成电路];
学科分类号
080903 ; 1401 ;
摘要
提出了一种改进型的脉宽调制DC/DC变换器的电路结构,该电路具有结构简单、功耗低、转换效率高等特点。根据FOUNDRY提供的模型参数,用EDA工具对芯片主要电路和整个电源系统进行了模拟,给出了模拟结果。采用3mmP阱双层多晶、单层金属CMOS工艺制造芯片。
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[1]  
CMOS模拟电路设计.[M].[美]P·E·艾伦(Phillip E·Allen);[美]D·R·霍尔伯格(Douglas R·Holberg) 著;王正华;叶小琳 译.科学出版社.1995,