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- [6] A GRAIN-BOUNDARY DEFECT MODEL FOR INSTABILITY STABILITY OF A ZNO VARISTOR[J]. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 1985, 20 (10) : 3487 - 3500GUPTA, TKCARLSON, WG
ZnO压敏电阻片的基础研究和技术发展动态
被引：25
作者：
李盛涛
机构：
[1] 西安交通大学电气绝缘研究所!西安
[2] 不详
来源：
关键词：
ZnO压敏电阻片;
导电机理;
老化机理;
功能微观结构;
技术发展趋势;
D O I：
10.16188/j.isa.1003-8337.1998.03.008
中图分类号：
TM28 [电工陶瓷材料];
学科分类号：
摘要：
从非欧姆导电机理、老化机理的深化和完善、功能微观结构作用和控制、粉料预处理和制造技术等方面对zno压敏电阻片的基础理论研究进行了概括；并指出，从技术发展动态看，主要是降低残压比、提高单位体积的能量耐受能力、提高压敏电位梯度、提高长期老化性能。
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