SOI微型电场传感器的设计与测试

被引：21

作者：

杨鹏飞 ^{[1
,2
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彭春荣 ^{[1
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张海岩 ^{[1
,2
]}

刘世国 ^{[1
]}

夏善红 ^{[1
]}

机构：

[1] 中国科学院电子学研究所传感器技术国家重点实验室

[2] 中国科学院研究生院

来源：

电子与信息学报 | 2011年 / 33卷 / 11期

关键词：

电场微传感器; 微机电系统(MEMS); 绝缘体上硅(SOI); 分辨率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP212 [发送器（变换器）、传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

该文研制了一种新型的基于SOI(Silicon-On-Insulator)微机械加工技术的高性能电场传感器敏感结构。为提高传感器的灵敏度和信噪比,该器件采用侧面屏蔽感应电极的独特设计方案,降低了传感器屏蔽电极的边缘效应;并基于有限元仿真,进一步优化了传感器敏感结构参数。在室温和室内大气压条件下,测试表明,测试量程0～50kV/m,传感器总不确定度优于2%,分辨率为50 V/m。

引用

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页数：4