Si基沉积ZnO薄膜的光谱特性

被引：6

作者：

张国斌

施朝淑

韩正甫

石军岩

林碧霞

Kirm M

Zimmerer G

机构：

[1] 中国科学技术大学国家同步辐射实验室!安徽合肥

[2] 中国科学技术大学国家同步辐射实验室!安徽合肥中国科学技术大学物理系

[3] 安徽合肥

[4] 中国科学技术大学

来源：

发光学报 | 2001年 / 02期

关键词：

ZnO薄膜; 光致发光; 同步辐射;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.4 [薄膜的性质];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

利用同步辐射真空紫外光研究了Si基沉积ZnO薄膜的发射光谱、激发光谱及其温度依赖。首次观测到高于ZnO禁带宽度的发射带 ( 2 90nm) ,并初步指定其来源。

引用

页码：157 / 159

页数：3

共 6 条

[1]

The effect of Zn buffer layer on growth and luminescence of ZnO films deposited on Si substrates. Fu Zhuxi,et al. Journal of Crystal Growth . 1998

[2]

Optically pumped lasing of ZnO at room temperature. Bagnall D M,et al. Applied Physics Letters . 1997

[3]

Superlinear increase phenomenon of UV luminescence of ZnO film under cathodeluminescent excitation. Guo Changxin,Fu Zhuxi,Shi Chaoshu. Chinese Journal of Luminescence . 1998

[4]

Electrical properties of bulk ZnO. Look D C,et al. Solid State Communications . 1998

[5]

Will UV lasers beat the blues?. Robert F. Science . 1997

[6]

UV luminescence and spectral properties of ZnO films deposited on Si substrates. Shi Chaoshu,et al. J. Electr .Spec . & Related Phen . 1990

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