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EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探
被引：2
作者：
徐波
王占国
万寿科
孙红
张辉
杨锡权
林兰英
机构：
[1] 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室
来源：
关键词：
光电导;
价带;
淬灭;
空穴;
电子;
实验方法;
光照;
能带结构;
载流子(半导体);
轻子;
EL2;
电子能态;
深能级;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304.23 [];
学科分类号：
摘要：
本文用光电导的实验方法对ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶中ＥＬ２能级的光淬灭过程进行了研究．通过对实验结果的分析，提出了一种解释ＥＬ２淬灭过程中ＥＰＣ现象起因的模型：光照前因补偿受主而已经电离的一部分ＥＬ２中心在近红外光照射下可通过从价带和其它深能级得到电子而被淬灭，使材料的费米能级下降，在价带中留下大量寿命很长的空穴，使光电导出现再上升．我们还发现ＥＰＣ的饱和值与材料的电子补偿度及热稳定性有一定的联系．
引用
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页码：322 / 328
页数：7
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