CCD辐射响应函数矩阵的建立与应用

被引:8
作者
任建伟 [1 ]
张艳琪 [1 ,2 ]
叶钊 [1 ,2 ]
全先荣 [1 ,2 ]
机构
[1] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
[2] 中国科学院研究生院
关键词
电荷耦合器件; 辐射响应; 函数矩阵; 光电性能; 响应度;
D O I
暂无
中图分类号
TN386.5 [电荷耦合器件];
学科分类号
0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;
摘要
为了能采用物理意义明确的函数式来表述大格式电荷耦合器件(CCD)的性能参数,直观地实现对面阵CCD辐射性能的评价,本文提出利用"辐射响应函数矩阵"概念来表述CCD每个像元的辐射性能参量。首先,分析了该矩阵各元素的物理意义,提出了对CCD每个像元的绝对辐射响应度、响应非线性度、暗噪声、信噪比以及非均匀性的描述方法。其次,对面阵CCD KAI-16000进行辐射性能检测,并利用回归分析计算出各像元的响应系数。最后,以测试结果为例,讨论和描述该矩阵的应用和结果。实验结果表明:该CCD近似成线性响应,通过矩阵函数可以计算出CCD非均匀性为3.1%,暗噪声为3.84。此方法实用,满足对大格式CCD直观表述的要求。
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