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水热合成中负离子配位多面体生长基元模型与粉体的晶粒粒度
被引：16
作者：
李汶军
施尔畏
仲维卓
郑燕青
殷之文
机构：
[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷超细结构国家重点实验室
来源：
关键词：
生长基元，晶粒粒度，水热法;
D O I：
10.14062/j.issn.0454-5648.1999.02.007
中图分类号：
O782 [晶体生长工艺];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
在负离子配位多面体生长基元模型的基础上深入研究了晶粒的结晶过程．认为成核过程主要包括生长基元的形成和生长基元之间的脱水反应过程，并从成核速度的角度分析了影响晶粒粒度的主要原因．揭示了影响晶粒粒度的主要原因为生长基元的生成能、晶体的晶格能．由此总结出不同结构类型的氧化物粉体晶粒粒度的相对大小．合理地解释了由水热法制得的氧化物粉体的晶粒粒度差别较大的原因以及反应介质、反应温度对晶粒粒度的影响．
引用
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页数：8
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