提高晶闸管器件对di/dt的耐受能力的途径

被引：2

作者：

颜廷刚

鲁广斌

任伟忠

机构：

[1] 齐齐哈尔电力半导体器件厂

[2] 齐齐哈尔电力半导体器件厂齐齐哈尔

[3] 齐齐哈尔

来源：

关键词：

晶闸管; di/dt; 抑制;

D O I：

10.13274/j.cnki.hdzj.2002.09.029

中图分类号：

TN34 [晶闸管（可控硅）];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

介绍了晶闸管器件的通态电流上升率di/dt参数及其损坏晶闸管器件的机理 ,并进一步介绍了提高晶闸管器件的通态di/dt耐量的设计和工艺方法 ,及应用过程中限制晶闸管阳极电路的电流上升率 ,保护晶闸管器件的方法

引用

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