共 1 条
[1]
IGCT器件制造中的离子注入扩散技术
被引：5
作者：
张明
机构：
[1] 株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部
来源：
关键词：
IGCT;
离子注入扩散;
杂质分布图;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN305.4 [扩散];
学科分类号：
080508 [光电信息材料与器件];
摘要：
概述了电力电子器件中的扩散方法,提出了采用离子注入的试验方案,经试验得到了离子注入扩散的规律。在集成门极换向晶闸管(IGCT)器件的阴极端成功实现了硼、铝双杂质离子注入扩散层的正确分布,从而证实了该方法的可行性。
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