迫弹激光引信用脉冲半导体激光电源的设计与应用

被引:2
作者
姚萍萍
张毅
涂碧海
王相京
赵平建
赵欣
机构
[1] 中国科学院安徽光学精密机械研究所
关键词
激光近炸引信; 半导体激光器; 驱动电路; 纳秒级脉冲;
D O I
暂无
中图分类号
TN248.4 [半导体激光器];
学科分类号
0803 ; 080401 ; 080901 ;
摘要
设计了适应于迫弹激光近炸引信的小体积、低电压、窄脉宽、高功率的脉冲半导体激光电源。采用电容充放电的模式,选用高速大功率MOSFET管作为开关,设计了相应的高速开关控制电路。激光电源模块的重复频率高达50 kHz,常规热电池供电电压条件下的输出脉冲激光峰值功率为9 W,光脉冲上升沿为4.2 ns,光脉宽为10 ns,为有效提高迫弹激光近炸引信定距精度和抗阳光、烟雾等干扰提供了保证。
引用
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页码:1696 / 1700
页数:5
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