IGBT模块封装热应力研究

被引：56

作者：

王彦刚

武力

崔雪青

吴武臣

P.Jacbo

M.Held

机构：

[1] 北京工业大学!北京,北京工业大学!北京,北京工业大学!北京,北京工业大学!北京,苏黎士工业大学!瑞士CH,苏黎士工业大学!瑞士CH

来源：

基金：

北京市自然科学基金;

关键词：

热应力; 封装; 可靠性/绝缘栅双极晶体管模块;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN32 [半导体三极管（晶体管）];

学科分类号：

070208 [无线电物理];

摘要：

IGBT模块封装多层结构的热不匹配将产生热应力从而影响器件可靠性。给出了IGBT模块热应力模拟结果及减小硅芯片热应力的方法 ,并计算出模块封装最佳参数及热应力与温度的关系 ,上述结果与温度循环实验结果一致

引用

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