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晶闸管的瞬态热阻抗及其结温温升的研究
被引:13
作者
:
论文数:
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机构:
李皎明
论文数:
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机构:
余岳辉
白铁城
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机构:
华中科技大学电子科学与技术系!湖北武汉
白铁城
彭昭廉
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机构:
华中科技大学电子科学与技术系!湖北武汉
彭昭廉
机构
:
[1]
华中科技大学电子科学与技术系!湖北武汉
来源
:
半导体情报
|
2001年
/ 02期
关键词
:
晶闸管;
结温;
功率脉冲;
热模型;
D O I
:
10.13250/j.cnki.wndz.2001.02.015
中图分类号
:
TN34 [晶闸管(可控硅)];
学科分类号
:
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要
:
系统地阐述了晶闸管的瞬态热阻抗 ,针对晶闸管承受不同的功率脉冲 ,利用不同的计算方法计算瞬态热阻抗值 ,从而确定结温温升 ,并比较了它们的原理、精度及其应用范围。特别是利用了一种新的瞬态热阻抗计算模型 ,当晶闸管承受持续时间极短且周期、占空比均变化的任意波形功率脉冲时 ,它能够比较精确地分析晶闸管的热特性 ,计算半导体结的最大温升
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页码:52 / 55
页数:4
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