高增益自偏S波段MMIC低噪声放大器附视频

被引：8

作者：

王闯

钱蓉

孙晓玮

顾建忠

机构：

[1] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

[2] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海

[3] 上海

来源：

半导体学报 | 2005年 / 04期

关键词：

赝配高电子迁移率晶体管; 低噪声; 高增益放大器; 微波单片集成电路;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN722.3 [低噪声放大器];

学科分类号：

080902 ;

摘要：

报道了具有高增益自偏结构的低噪声S波段MMIC宽带低噪声高增益放大器.该放大器是采用国际先进的0.25μmPHEMT工艺技术加工而成.电路设计采用了两级级联负反馈结构,并采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便,可靠性高,一致性好.MMIC芯片测试指标如下:在1.9～4.2GHz频率范围内,输入输出驻波小于2.0,线性功率增益达30dB,带内增益平坦度为±0.7dB,噪声系数小于2.7dB.芯片尺寸:1mm×2mm×0.1mm.这是国内报道的增益最高,芯片面积最小的S波段放大器.

引用

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