MgO掺杂对CeO2-ZrO2材料阻抗特性的影响

被引：3

作者：

赵文广

安胜利

机构：

[1] 内蒙古科技大学材料科学与工程学院

[2] 内蒙古科技大学材料科学与工程学院内蒙古包头

[3] 内蒙古包头

来源：

包头钢铁学院学报 | 2004年 / 02期

关键词：

CeO2ZrO2陶瓷; 交流复阻抗; 电导率; 电导活化能;

D O I：

10.16559/j.cnki.2095-2295.2004.02.005

中图分类号：

TB39 [其他材料];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

利用交流复阻抗分析技术对 (MgO ,CeO2 )复合掺杂ZrO2 材料的阻抗特性进行了研究结果表明 ,随着MgO掺入量的增加 ,参与跃迁的氧空位增多 ,并促进烧结体的密度上升 ,气孔率降低 ,导致导电相粒子间的接触电阻减少 ,提高了 (ZrO2 ) 1-x-y(YO1 5) x(MgO) y 陶瓷的电导率

引用

页码：113 / 117

页数：5

共 4 条

[1]

稀土电解质Ce0.9M0.1O2-δ（M=Pr,Nd,Sm,Gd,Dy）的制备与性能[J]. 刘晓梅,苏文辉,梁路光,郭天才,冷静.中国稀土学报. 2003(04)

[2]

(Y2O3,CaO)复合掺杂ZrO2材料的交流复阻抗研究[J]. 李英,唐子龙,龚江宏,张中太.功能材料. 2001

[3] 注浆成型法制备的钇稳定化氧化锆电解质性能研究 [J].

贾莉，刘江，刘巍，吕吉吉，裴力，何岚鹰，苏文辉 .

功能材料, 1999, (02) :86-88

[4] 稳定化氧化锆的晶界导电模型 [J].

郭新 .

物理学报, 1998, (08) :103-109

← 1 →